Halbleiterdetektoren mit hoher Ortsauflösung haben in den letzten Jahrzehnten den Teilchennachweis revolutioniert, weil durch sie die elektronische Messung von Sekundärvertices und damit die Messung von Lebensdauern schwerer Quarks und Leptonen und ihre Identifikation möglich wurden. In diesem Kapitel werden zuerst die Grundlagen der Halbleiterphysik, insbesondere die Bedeutung von Grenzflächen vermittelt. Dann werden verschiedene Detektortypen, wie Streifen- und Pixeldetektoren sowie Silizium-Driftkammern und Charge-Coupled Devices (CCD) beschrieben. Neuere Entwicklungen werden in den Abschnitten 'Monolithische Pixeldetektoren' und 'Präzise Zeitbestimmung mit Siliziumdetektoren' angesprochen. Im vorletzten Abschnitt werden die physikalischen Grundlagen und der Einfluss von Strahlenschäden auf die Eigenschaften und den Betrieb der Detektoren beschrieben. Eine Übersicht über weitere Halbleitermaterialien für den Strahlungsnachweis folgt als Abschluss.