Feldeffekttransistoren

In diesem Kapitel wird die Funktionsweise von MOS-FETs (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) und JFETs (junction field-effect transistor) erläutert. Bei MOS-FETs ist die metallische Gateelektrode durch eine Isolationsschicht aus SiO2 vom Rest des Transistors isoliert. Bei JFETs wird dieser Zweck durch einen gesperrten pn-Übergang erreicht. Für den MOS-FET wird hier eine vereinfachte Struktur verwendet, damit das Verständnis für die Funktionsweise erleichtert wird. Diese Struktur wird jedoch in der Praxis selten verwendet. Nach Durcharbeiten dieses Kapitels können Sie die Funktionsweise eines JFET und eines MOS-FETS beschreiben. Aus einem Schaltplan können Sie die Schaltungsart des FET bestimmen. Sie sind in der Lage, aus dem Schaltplan ein Kleinsignal-Ersatzschaltbild für den FET zu zeichnen und die Kleinsignalgrößen zu bestimmen. Mit gegebenen Größen können Sie den Arbeitspunkt eines Feldeffekttransistors und die Parameter der FET-Schaltung berechnen. Sie können die Kennlinien der verschiedenen Feldeffekttransistoren zeichnen und unterschiedliche Arbeitspunkte in die Kennlinienfelder einzeichnen. Sie verstehen die Unterschiede zwischen analogem und digitalem Betrieb.