Die monolithische Integration des inversen Thyristors wird mithilfe einer neu entwickelten 4H-SiC-SFET-Technologie umgesetzt. Zunächst werden die verwendeten Technologiebausteine vorgestellt, die Konzeptionierung und Skalierbarkeit der Zelltopologien beschrieben und mithilfe von TCAD-Modellen diskutiert. Im Anschluss wird der Fertigungsprozess der in Kapitel 5 charakterisierten Bauelemente und Teststrukturen im Detail erläutert.