Die physikalischen Grundlagen und theoretische Zusammenhänge, die zum Verständnis dieser Arbeit notwendig sind, sollen in diesem Kapitel erläutert werden. Hierfür wird 4H-SiC zunächst als bevorzugtes Halbleitermaterial motiviert und relevante Materialeigenschaften im Kontext des Stands der Wissenschaft diskutiert. Anschließend werden die wesentlichen halbleiterphysikalischen Mechanismen beschrieben, die zur Erzeugung, Ionisierung und zum Transport von Ladungsträgern beitragen.