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Leistungs-MOSFET- und IGBT-Chips besitzen bis zu 250.000 Zellen je mm2 (50 V Leistungs-MOSFET) bzw. 50.000 Zellen je mm2 (1200 V IGBT) mit Chipflächen von 0,1 bis 1,5 cm2. Abb. 7.1 zeigt die Schaltzeichen und die fast identischen Gehäuse.

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Leistungs-MOSFET und IGBT in Theorie und Praxis

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  • 发表日期：

    2026年

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  • Herbert Bernstein

摘要

Leistungs-MOSFET- und IGBT-Chips besitzen bis zu 250.000 Zellen je mm2 (50 V Leistungs-MOSFET) bzw. 50.000 Zellen je mm2 (1200 V IGBT) mit Chipflächen von 0,1 bis 1,5 cm2. Abb. 7.1 zeigt die Schaltzeichen und die fast identischen Gehäuse.