Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor
摘要
Dargestellt wird die Extraktion der SPICE-Modellparameter des Leistungs-MOS-Feldeffekttransistors IRF 150. Statische Parameter wie die Schwellspannung folgen aus der Auswertung von Gleichstrom-Kennlinien. Die MOSFET-Kapazitäten können mit Messschaltungen bei der Frequenz von 1 MHz oder über die Auswertung der Frequenzabhängigkeit der maximalen stabilen Leistungsverstärkung in den drei Grundschaltungen extrahiert werden.