MOS-Feldeffekttransistoren

Beschrieben wird die Extraktion der Modellparameter von N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET aus dem CMOS-Array CA 3600. Einige Parameter wie die Schwellspannung oder die Steilheit lassen sich aus der Übertragungskennlinie gewinnen. Dabei wird der auch der Einfluss der Bulk-Elektrode erfasst. Die Bulk-Drain- und Bulk-Source-Kapazitäten werden über die Frequenzabhängigkeit der maximalen stabilen Leistungsverstärkung ermittelt.