Bipolartransistoren
摘要
Gezeigt wird die Verfahrensweise bei der Extraktion statischer und dynamischer Modellparameter am Beispiel des npn-Bipolartransistors 2 N 2222. Grundlage für die Ermittlung der Modellparameter sind das Großsignal- und Kleinsignalmodell des Transistors. Ausgewertet werden sowohl simulierte statische Kennlinien als auch die Frequenzabhängigkeit maximaler stabiler Leistungsverstärkungen. Besondere Untersuchungen auf der Basis von Streuparametern gelten dem HF-Transistor für den Einsatz im Gigahertz-Bereich. Vorgestellt wird eine Parameterextraktion zum Kleinsignalmodell des Transistors BFR 93 A von Infineon.