Retraction Note: Exploring High-Temperature Reliability of 4H-SiC MOSFETs: A Comparative Study of High-K Gate Dielectric Materials

期刊论文
发表日期：

2024年8月1日

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M. V. Ganeswara Rao,
N. Ramanjaneyulu,
Sumalatha Madugula,
N. P. Dharani,
K. Rajesh Babu,
Kallepelli Sagar

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