Al₂O₃/AlN/GaN MOS-HEMTs on 6-inch silicon substrate with high transconductance and state-of-the-art f_max × L_G

期刊论文
发表日期：

2025年2月12日

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Lingjie Qin,
Jiejie Zhu,
Bowen Zhang,
Yuxi Zhou,
Huantao Duan,
Huimei Ma,
Mengdi Li,
Simei Huang,
Jin Rao,
Xiaohua Ma,
Yue Hao

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